2022年6月23日

田中貴金屬集團旗下經營製造事業的田中貴金屬工業株式會社　宣布確立了液體釕（Ru）前驅物「TRuST」的2段成膜製程。「TRuST」是具有特色的前驅物，對氧和氫兩者具備良好的反應性，能夠形成高純度的釕膜。本製程是一種2段ALD成膜製程（ALD＝Atomic Layer Deposition），先利用氫成膜形成較薄的防氧化膜，再以氧成膜實現高品質的釕膜。藉此，消除因氧引起的基板氧化的擔憂，同時還能抑制因氫成膜造成的釕純度降低。
透過使用液體釕前驅物「TRuST」的2段ALD製程，實現可防止基板氧化與高品質且低阻抗的極薄薄膜 可望應用於數據中心與IoT等要求技術革新的先進技術

20220623_田中貴金屬工業確立了有助於提升半導體的微細化與耐久性的釕成膜新製程.pdf