AuRoFUSE™預製件技術介紹

■特色

1. ① 可以製作多種尺寸和形狀的Au凸塊
   (最小實績：5µm大小、5µm間隙)
2. ② 為具有多孔質結構的接合體，因此有優異的壓縮變形能力
3. ③ 加壓時較少往水平方向變形，因此可以進行高密度封裝
4. ④ Au為主要成分，因此不易發生氧化和遷移
5. ⑤ 可在相對較低的溫度(200℃～)和大氣條件下進行接合

■預設用途

光電半導體（LED與LD）、功率半導體、IC專用的晶片貼裝材料

■AuRoFUSE™預製件製作方法

1. ① 對接合物件基板底層，施行Au/Pt/Ti金屬化處理
2. ② 將光阻塗佈在金屬化處理後的接合物件的基板上
3. ③ 將符合預製件形狀的光罩遮蔽接合對象的基板，進行曝光和顯影，製作光阻框
4. ④ 將AuRoFUSE™倒入製作好的光阻框中
5. ⑤ 在室溫下真空乾燥，乾燥後用刮板刮取剩餘的Au粒子
6. ⑥ 加熱預燒結後，剝離並清除光阻框

■AuRoFUSE™預製件和其他材料的比較

(〇) AuRoFUSE™預製件

• 在接合前將膏材乾燥使其流動性消失，藉此能夠抑制膏材向外擴展，並可做到高密度封裝
• 由於是多孔質結構，所以要變形很容易，即使電極間存在高低差異、基板翹曲或厚度不一的情況下，也可進行接合

(△) 銲錫材料

• 隨著凸塊間距變得微細，銲錫材料在熔化時會向外擴展，因此存在因電極間接觸而引起短路

(△) 無電解電鍍

• 雖然可實現窄間距，但由於接合時需要相對較高的壓力，因此存在造成晶片損壞

AuRoFUSE™預製件不會向外擴展，而且比電鍍凸塊柔軟

■接合範例：覆晶鍵合

• 
• Recommended condition
  

  Pretreatment:	UV ozonation, etc.
  Thermo-Compression:	200℃, 20MPa, 10sec.
  Post-Bake:	200℃, 60min.

■特性表