AgSn TLP片
可實現大型矽(Si)晶片接合的薄片狀接合零件
對應20mm的晶片尺寸，在此大面積上可以做到高度可靠的接合
為滿足適用大電流的功率半導體在EV、HV、產業基礎建設等日益增長的需求作出貢獻。
TLP接合(液相擴散接合(※1))：Transient Liquid Phase Diffusion Bonding
AgSn TLP片 概要
■特色
可靠性
- 接合後，由於Ag和Sn會形成Ag3Sn，使耐熱溫度可高達480℃，因此比現有材料更具有高耐熱性。
- 在接合強度方面,最大會維持在50MPa,且即便在300℃的情況下也會維持同等的接合強度。
- 在接合上通過3,000次熱循環測試的高可靠性也為其一項特色。
降低成本
- 由於接合可在幾分鐘內完成,因此可透過節拍時間的降低來削減製程成本。
降低環境負荷
- 由於是不含溶劑的材料，因此不會產生VOC(揮發性有機化合物)。
- 由於不含鉛，因此不含Rohs指令的規範對象物質。
■使用方法
接合條件
- 可以在250℃的加熱溫度下進行液相擴散接合(※1)。
- 可以在3.3MPa的低加壓下進行接合。
接合對象
- 可以對應Cu、Ni、Ag等各種被接合材料。
■規格
| 要求性能項目 | 性能 |
|---|---|
| 對應晶片尺寸 | 最大20mm |
| 薄片厚度 | 0.03～0.2mm |
| 接合強度(剪力強度) | 25～50MPa |
| 耐熱性(高溫剪力強度300℃) | 25～50MPa |
| 可靠性(H.C. -50℃⇔200℃) | 3,000cyc. |
| 被接合材料 | 可與Cu/Ni/Ag進行接合 |
- (※1)液相擴散接合：進行擴散接合時，將插入接合界面的金屬等物質暫時熔化或液化後，利用擴散使其等溫凝固進行接合的一種接合方式。英文名稱为Transient Liquid Phase Diffusion Bonding（TLP接合）。