Wir bieten Drähte an, die mithilfe der Draht Bumping-Methode hergestellt werden können und die so erlauben, je nach Bedarf alle elektronischen Bauteile zu miniaturisieren, dünner und dichter zu gestalten. Auch auf Halbleitergeräten wie IC oder LSI etc. können an den Verbindungen mikroskopischer elektronischer Geräte kostengünstige einheitliche Bumps hervorragender Qualität geformt werden.

■　Eigenschaften

• Nach der Ausbildung der Bumps gibt es nur minimale Streuung der Halshöhe
• Die Form der Bumps ist ebenfalls gleichbleibend
• Optimal für Kleinserienproduktion