CVD / ALD 용 귀금속 프리커서
"CVD / ALD 용 귀금속 프리커서"란?
반도체의 미세화 및 고성능화에 대응하기 위해 개발된 CVD(화학 기상 성장법) 및 ALD(원자층 퇴적법) 공정에서 사용되는 성막용 재료입니다. 당사는 당사에서는 루테늄(Ru)을 중심으로 다양한 CVD/ALD용 프리커서를 개발하고 있습니다.
차세대 반도체를 위한 고순도 귀금속 프리커서 개발
새로운 미세화와 내구성 향상이 요구되는 반도체 산업에서 루테늄(Ru) 프리커서의 성막 속도의 향상에 의해 비용의 저감과 고품질화를 도모해, 반도체가 개척하는 새로운 선진 기술의 개발에 공헌해 가겠습니다.
CVD = Chemical Vapor Deposition (화학 기상 성장법)
ALD = Atomic Layer Deposition (원자층 퇴적법)
프리커서 개발·제공
당사에서는 Ru를 중심으로 다양한 CVD/ALD용 프리커서를 개발하고 있습니다. 또한 반도체용 박막을 제작하기 위한 CVD 장치, 박막을 평가하기 위한 각종 분석기기(FE-SEM, AFM, XRF 등)를 갖추고, 목적에 맞는 프리커서를 제공합니다.
프리커서 제품 예 (Ru)
| Product Name | Appearance |
|---|---|
| DCR Ru 성막용 고순도 프리커서 |
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| Rupta Ru 성막용 산소 프리 프리커서 |
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| TRuST Ru 성막용 고증기압 프리커서 |
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반도체의 미세화를 위해, 저저항으로 내구성이 높은 Ru에 기대가 높아지고 있습니다. 또한, 트랜지스터의 게이트용 전극이나 DRAM의 캐패시터용 전극 등에서도, 우수한 특성을 가지는 Ru의 검토가 이루어지고 있습니다.
Ru 성막용 고증기압 프리커서: TRuST
액체 Ru 프리커서로 세계 최고 수준의 증기압치 실현
기존의 액체 Ru 프리커서에 비해 증기압을 100배 이상*로 높인 CVD/ALD용 프리커서입니다. 스마트폰 및 PC용과 향후 추가 수요가 예상되는 데이터센터에서 사용되는 반도체의 고성능화, 절전화에 공헌합니다.
*상온 하에서의 당사 내 평가에 의한 실험치
특징
- 실온 정도에서도 높은 증기압을 나타냅니다.
- 반응 가스(수소, 산소 등)로 쉽게 분해하여 저저항인 Ru막을 성막할 수 있습니다.
- 작은 분자 때문에 기판 표면에의 흡착 효율이 좋고, 높은 성막 속도를 얻을 수 있습니다.
- 단차 피복성이 뛰어나 미세한 고종횡비의 구조에도 심부까지 균일하게 성막할 수 있습니다.
TRuST를 이용한 2단계 ALD 프로세스
산소와 수소에 의한 2단계의 ALD 공정에 의해 기판의 산화 방지와 고품질 저저항의 극박막을 실현
TRuST에 의한 2단계 증착 공정
1단계: H2에 의한 Ru 성막
수소 증착에 의해 기초 표면 산화 위험이 감소
2단계: O2에 의한 Ru 성막
산소 성막에 의해 Ru의 순도를 거의 100%로 유지하는 고순도의 성막
먼저 수소 성막으로 기초를 형성함으로써, 그 위의 산소 성막에 의한 Ru 막도 평활하고 치밀해지고, 종래 이상의 저 저항 값을 실현
- 2단계 성막 공정을 통해 극박막 영역에서도 치밀하고 저저항인 Ru막을 성막할 수 있습니다.
- 각 공정은 동일한 원료와 성막 온도에서 실시되므로 공정 비용과 설비 투자 비용의 저감에 기여합니다.
