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田中貴金屬工業建立了使用「AuRoFUSE™預製件」的半導體高密度封裝用接合技術
～解決了半導體要求進一步微細化和高密度化的問題，為光學元件和數位元件的技術創新做出貢獻～
2024年3月11日
田中貴金屬集團核心企業——以產業用貴金屬展開事業的田中貴金屬工業株式會社，宣佈建立了活用金-金接合低溫燒結膏材AuRoFUSE™的高密度封裝用金（Au）粒子接合技術。
AuRoFUSE™是僅由次微米大小的金粒子和溶劑所構成，在低電阻和高熱傳導率以及低溫度下實現金屬接合的材料。透過本技術可使用AuRoFUSE™預製件（乾燥體）實現20μm大小4μm間隙的窄間距封裝。此外，AuRoFUSE™預製件在200℃、20MPa（兆帕）、10秒的熱壓後，在壓縮方向顯示出約10％的收縮率，在水平方向上較少變形，金凸塊的接合強度※1足以承受實際應用※2。再加上是以化學穩定性優異的Au為主要成分，封裝後具高可靠性。
本技術是一種能夠實現半導體配線微細化和多種晶片集成（高密度化）的技術，期待將為LED（發光二極體）和LD（半導體雷射）等光學元件，電腦和智慧型手機等數位元件上的應用，以及需要高度技術創新的車載零部件等先進技術做出貢獻。
今後，我們將積極的提供樣品，以擴大該技術的市場認知度。
另外，本技術將於2024年3月13日至15日在東京理科大學舉行的「第38屆電子封裝學會春季演講大會」上發表。
（※1）接合強度：指剪斷強度（橫向載荷測試中的強度）
（※2）凸塊：突起的電極