CVD/ALD用貴金屬前驅物

開發、提供前驅物

本公司以Ru為中心，正在開發各種CVD/ALD用前置器。此外，還備有用於制作半導體薄膜的CVD裝置、用於薄膜評估的各種分析儀器(FE-SEM、AFM、XRF等)，可根據目的提供預測器。

前驅物產品範例 (Ru)

Product Name	Appearance
DCR Ru成膜用高純度前驅物
Rupta Ru成膜用無氧前驅物
TRuST Ru成膜用高蒸氣壓前驅物

面向半導體的進一步微細化，對電阻更低、耐久性更高的Ru的期待越來越高。此外，正在研究具有優異特性的Ru,用於晶體管柵極電極和DRAM電容器電極。

Ru成膜用高蒸氣壓前驅物:TRuST

液體Ru前驅物實現世界最高水平的蒸汽壓值

與以往的液體Ru前驅物相比，蒸汽壓力提高到^*100倍以上的CVD/ALD用前驅物。我們將為智能手機和PC以及未來數據中心使用的半導體的高性能和節能做出贡獻。

^*常溫下本公司內部評價的實驗值

特色

• 即使在室溫左右也顯示出高蒸氣壓。
• 用反應氣體(氫氣、氧氣等)容易分解，形成低阻力的Ru膜。
• 由於它是一種小分子，因此能有效地吸附在基板表面，從而實現較高的薄膜沉積速度。
• 階差覆蓋性優異，即使在細微的高長寬比結構中也能均勻地成膜至深處。

使用TRuST的兩步ALD過程

採用氧氣和氫氣的兩步驟 ALD 製程可防止基板氧化，並產生高品質、低電阻的超薄膜。

基於TRuST的兩階段成膜工藝

第1階段:利用H₂進行Ru成膜
利用氫成膜降低基礎表面氧化的風險

第2階段:利用O₂的Ru成膜
利用氧氣成膜使Ru的純度幾乎保持在100%的高純度成膜

通過首先在氫成膜上形成基底，由氧成膜形成的Ru膜也變得平滑和衹密，實現了比以前更低的電阻值

• 兩步成膜工藝可在超薄膜區域形成衹密、低電阻的Ru膜。
• 由於每個過程都在相同的原料和成膜溫度下進行，因此有助於降低工藝成本和資本投資成本。

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