燒結法製造的濺鍍靶材

電子 半導體 沉積和濺鍍 貴金屬薄膜與沉積技術 電化學用電極
燒結法製造的濺鍍靶材影像

什麼是"燒結法製造的濺鍍靶材"?
濺鍍靶材是透過在高溫下燒結金屬氧化物或貴金屬合金粉末,並將其形成薄膜而製成的,用於光學元件和電子元件。燒結方法可實現成分均勻性和高密度,從而確保穩定的成膜過程和薄膜品質。

我們先進的燒結技術將不負客戶的信任。

我們採用燒結技術生產的貴金屬薄膜材料在半導體、磁碟等各種電子產業中廣受好評。
隨著薄膜電子工程領域的不斷發展和日益複雜,我們將繼續不負客戶的信任,成為貴金屬濺鍍材料領域的領導者。

磁記錄媒體用靶材

特色

我們採用獨特的製造方法,生產用於記錄介質的超高純度含氧化物濺鍍靶材該方法能夠使氧化物細微均勻分散在磁性材料中。

  • 具有精細且均勻分散氧化物的靶材產生顆粒,能達到穩定的濺鍍。
  • 隨著硬碟容量的增加,合金組成和添加氧化物也變得更加複雜。我們可以製造符合這些技術趨勢的靶材。從原型開發到大量生產,我們都能提供滿足您需求的客製化產品。
  • 我們為濺鍍工藝提供全方位支持,從廢料回收到零件再製造和貴金屬回收。

種類

靶材 純度 用途
CoCrPt-SiO2 99.9% 垂直磁性記錄材料
CoCrPt-TiO2
CoCrPt-Cr2O3
各種復合摻氧化物磁性材料
FePt氧化物等 99.9% 新一代垂直磁記錄材料

* 本表所列合金組成僅為範例。如需其他合金組成及添加氧化物,請與我們聯絡。

用途

  • 硬碟介質 (顆粒介質) 用記錄膜
CoCrPt-SiO2靶材中氧化物分散範例(黑點:SiO2,基體:均勻CoCrPt合金)
CoCrPt-SiO2靶材中氧化物分散的例子
(黑點:二氧化矽)2(基體:均質CoCrPt合金)

次世代非揮發性記憶體用靶材

本公司卓越的熔融技術、燒結技術和回收技術應用於貴金屬薄膜材料生產,這些材料廣泛應用於半導體領域。尤其是在備受矚目的下一代高速、大容量記憶體——磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)領域,我們運用在磁記錄媒體用靶材中累積的製造技術,生產純度鐵鉑合金靶材。

特色

靶材採用真空熔煉脫氣、快速凝固製細粉、真空加壓燒結可獲得成分分佈極為均勻、產生顆粒極少、性能優異的產品。

  • 真空溶解技術可達到極低的殘餘氧含量
  • 高純度、高密度、極高的組成均勻性
  • 可滿足3元係、4元係合金、甚至添加氧化物等各種要求

種類

靶材 純度 用途
FePt 99.99% MRAM用鐵磁膜、磁頭、磁感測器
CoPt

* 本表所列合金組成僅為範例。如需其他合金組成及添加氧化物,請與我們聯絡。

用途

用於MRAM、磁頭及磁感測器的磁性膜
Pt組織內表面分佈圖

FePt靶材中Pt成分的均勻性(透過X射線螢光分析評估)

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