【着眼于日益普及的光子学-电子学融合领域】面向下一代高密度封装的新思路,开启“黄金”封装的可能性

电子学 半导体 接合与密封 继电器与电气连接

目前,半导体后处理领域,尤其是封装技术,正加速引入划时代的新技术。与此同时,人们对能够适应这些创新、基于全新理念的材料特性和性能的开发寄予厚望。田中贵金属工业株式会社开发了一种名为“AuRoFUSE™ Preform”的新型封装解决方案,该方案具有极高的可靠性,并可实现高密度封装。

近年来,在半导体和电子设备领域中,需要通信速度的提高,节能和装置的进一步小型化。作为满足这些需求的技术而受到关注的是在高度方向上堆叠组件的三维安装和在有限空间中包装许多功能的高密度安装。

支撑这些封装技术的关键要素之一是倒装芯片键合。该方法是将芯片倒置到基板上并直接键合,电极之间通过凸块连接。接合材料必须具备多种功能特性,例如键合温度、导电性和导热性,因此材料选择至关重要。

凸块形成材料面临的挑战

目前,凸块电极的形成主要采用焊接和电镀。

焊接虽然成本低、加工速度快,但人们担心在小间距下存在短路风险。电镀虽然擅长处理细线,但其硬度较高,难以吸收高度变化或不均匀负载,这可能导致连接不良和残余应力等问题。

为了克服这些问题,现在正在大力开发新材料和优化连接工艺。倒装芯片技术的进一步发展将是支持下一代半导体封装的关键。

接下来 ≫ 异质芯片和基板之间的“中介”

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这是经日经BP许可在“Nikkei CrossTech” (2025年11月21日发布) 上发表的广告文章摘录。
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