CVD / ALD 用贵金属前驱物
什么是“ CVD / ALD 用贵金属前驱物”？
这些是用于化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD) 工艺的成膜材料，这些工艺的开发是为了满足半导体小型化和高性能的需求。我们开发了多种用于 CVD/ALD 的前驱物，重点是钌 (Ru)。
面向下一代半导体的高纯度贵金属预制器的开发
在追求进一步微细化和提高持久性的半导体产业中，在以期通过提高钌(Ru)前驱物的成膜速度来降低成本和实现更高质量的同时，为开发半导体开辟的新型先进技术作出贡献。
CVD = Chemical Vapor Deposition (化学气相沉积法)
ALD = Atomic Layer Deposition (原子层沉积法)
前驱物开发和提供
我们正在开发用于CVD／ALD 前驱物，重点是 Ru。甚至制作半导体用薄膜的CVD装置,评估薄膜用的各种分析仪器(FE-SEM,AFM,GD-MS 等)产品俱全，依目的提供所需前驱物。
前驱物示例 (Ru)
| Product Name | Appearance |
|---|---|
| DCR Ru成膜用较高纯度前驱物 |
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| Rupta Ru成膜用无氧前驱物 |
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| TRuST Ru成膜用较高蒸汽压力前驱物 |
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面向半导体的进一步微细化，对电阻更低、耐久性更高的Ru的期待越来越高。此外，正在研究具有优异特性的Ru,用于晶体管栅极电极和DRAM电容器电极。
Ru成膜用较高蒸汽压力前驱物:TRuST
液体Ru前驱物实现世界最高水平的蒸汽压值
比迄今为止的液体钌(Ru)前驱物蒸汽压力提高约 100 倍*的 CVD/ALD用前驱物。 对用于智能手机、计算机，以及今后预计进一步扩大需求的数据中心的半导体的性能提高及省电性做出贡献。
*常温下本公司内部评价的实验值
特点
- 即使在室温左右也显示出高蒸气压。
- 用反应气体(氢气、氧气等)容易分解，形成低阻力的Ru膜。
- 由于它是一种小分子，因此能有效地吸附在基板表面，从而实现较高的薄膜沉积速度。
- 阶差覆盖性优异，即使在细微的高长宽比结构中也能均匀地成膜至深处。
使用TRuST的两步ALD过程
采用氧气和氢气的两步 ALD 工艺可防止基板氧化，并产生高质量、低电阻的超薄膜。
基于TRuST的两阶段成膜工艺
第1阶段:利用H2进行Ru成膜
利用氢成膜降低基础表面氧化的风险
第2阶段:利用O2的Ru成膜
利用氧气成膜使Ru的纯度几乎保持在100%的高纯度成膜
通过首先在氢成膜上形成基底，由氧成膜形成的Ru膜也变得平滑和致密，实现了比以前更低的电阻值
- 两步成膜工艺可在超薄膜区域形成致密、低电阻的Ru膜。
- 由于每个过程都在相同的原料和成膜温度下进行，因此有助于降低工艺成本和资本投资成本。
