HERAUSGEBER`S AUSWAHL: TANAKA etabliert Transfertechnologie für seine gesinterte Goldbonding-Technologie.

Quelle: Halbleiter-Digest
Datum: 03. Februar 2026
Autor: Pete Singer, Mitbegründer/Chefredakteur, HALBLEITER-DIGEST
Link: TANAKA etabliert Transfertechnologie für seine gesinterte Goldbonding-Technologie - Halbleiter-Digest
HERAUSGEBER`S AUSWAHL: TANAKA etabliert Transfertechnologie für seine gesinterte Goldbonding-Technologie.
TANAKA PRECIOUS METAL TECHNOLOGIES Co., Ltd., ein Unternehmen, das im Bereich der industriellen Edelmetallgeschäfte von TANAKA tätig ist, hat heute eine Goldbump-Transfertechnologie für die gesinterte Gold (Au) Bonding-Technologie "AuRoFUSE™ Preforms" angekündigt. Diese Technologie ermöglicht AuRoFUSE™ Preforms (Goldbump), selbst auf Halbleiterchips und Substraten mit komplexen Strukturen gebildet zu werden.
Vorteile der Fähigkeit, Goldbumps zu übertragen.
In dieser Technologie werden zunächst Goldkügelchen auf einem Substrat (Transfer-Substrat) gebildet. Dann werden die Goldkügelchen auf den Ziel-Halbleiterchip oder das Substrat übertragen. Auf dem Siliziumsubstrat, das als Transfer-Substrat verwendet wird, werden Öffnungen geschaffen, in die Goldkügelchen gebildet werden. Durch das Ausfüllen der gesamten Öffnung wird der Goldkügelchen vom Substrat gehalten, wodurch das Risiko des Herunterfallens während des Prozesses beseitigt wird. In der Zwischenzeit schrumpft das Goldkügelchen während des Transfers unter Wärmebehandlung und bildet einen winzigen Spalt zwischen der Öffnung und dem Goldkügelchen. Dies ermöglicht eine einfache Entnahme der Goldkügelchen durch Anwendung einer Kraft in vertikaler Richtung.

Da das traditionelle Verfahren zur Bildung von Goldbump direkt Bumps auf dem Ziel-Halbleiterchip oder Substrat bildet, ist es schwierig, Zielchips und Substrate mit komplexen Formen, wie Vorsprüngen, Dellen oder offenen Löchern, zu handhaben, aufgrund von Problemen wie inkonsistenten Resist-Höhen.
In dieser aktuellen Transfertechnologie werden Goldstößchen separat hergestellt und können nur an die Zielorte übertragen werden. Dies ermöglicht es, die Technologie auch auf komplexe Formen anzuwenden. Sie kann auch mit Halbleiterchips und Substraten verwendet werden, die aufgrund von Bedenken hinsichtlich Schäden durch Abbeizlösungen und andere schwer zu verarbeiten sind.
Dieser Artikel wurde mit Genehmigung von SEMICONDUCTOR DIGEST aus einem Artikel veröffentlicht, der am 03. März 2026 erschienen ist. Dieser Artikel wurde von TANAKA mit Genehmigung von SEMICONDUCTOR DIGEST übersetzt.
Dieser Artikel wurde veröffentlicht auf SEMICONDUCTOR DIGEST. Weitere Informationen finden Sie hier:
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