AuRoFUSE™-Präform-Technik

■Eigenschaften

1. ① Au-Bumps (Kontaktierhügel) können in verschiedenen Größen und Formen herstellt werden (kleinstmögliche Abmessungen, die mit dieser Technik hergestellt werden können: Größe von 5 µm, Abstand von 5 µm)
2. ② Ausgezeichnete Verformbarkeit unter Druck dank der porösen Struktur des Verbindungsmaterials
3. ③ Ermöglicht eine hohe Bestückungsdichte aufgrund seiner geringen horizontalen Verformung wenn es unter Druck gesetzt wird
4. ④ Oxidation und Migration sind unwahrscheinlich, da der Hauptbestandteil Gold (Au) ist
5. ⑤ Kann bei relativ niedrigen Temperaturen (ab 200℃) und unter atmosphärischen Bedingungen gebondet werden

■Verwendungsmöglichkeiten

Die-Bonding-Materialien für optische Halbleiter (LED und LD), Leistungshalbleiter und ICs

■Herstellung von AuRoFUSE™ Präformen

1. ① Metallisierung mit Gold/Platin/Titan erzeugt die Basisschicht auf dem Trägermaterial
2. ② Aufbringen eines lichtempfindlichen Fotolacks
3. ③ Erzeugen des Präform-Musters durch Belichten und Entwickeln des Fotolacks
4. ④ AuRoFUSE™ fließt in das Gitter
5. ⑤ Trocknen im Vakuum bei Raumtemperatur, danach Abziehen von überschüssigem Gold
6. ⑥ Sintern durch Aufheizen, danach Entfernen des Gitters aus Fotolack

■Vergleich zwischen AuRoFUSE™-Präformen und anderen Materialien

(〇) AuRoFUSE™-Präform

• Dadurch, dass die Paste vor dem Bonding getrocknet wird, damit sie ihre Fließfähigkeit verliert, wird das seitliche Auslaufen der Paste verringert, was eine hohe Bestückungsdichte ermöglicht
• Aufgrund seiner porösen Struktur, kann die Paste leichter verformt werden, und Bonding ist selbst bei Höhenunterschieden zwischen den Elektroden, Verzug der Platine oder Unterschieden in der Platinendicke, möglich

(△) Lötmaterialien

• Je feiner der Bump-Pitch wird, desto mehr breitet sich das Lotmaterial beim Schmelzen seitlich aus, wodurch es zu Kurzschlüssen durch Kontakt zwischen den Elektroden kommt

(△) stromloses Plattieren

• Ein enger Bump-Pitch ist realisierbar, jedoch ist beim Bonden ein relativ hoher Druck erforderlich, wodurch es zu Beschädigungen der Chips kommen kann

AuRoFUSE™-Präformen breiten sich nicht nach außen aus und sind weicher als plattierte Kontakte

■Bonding-Beispiel: Flip-Chip-Montage (Wende-Montage)

• 
• Recommended condition
  

  Pretreatment:	UV ozonation, etc.
  Thermo-Compression:	200℃, 20MPa, 10sec.
  Post-Bake:	200℃, 60min.

■Materialeigenschaftstabelle