CVD/ALD-Edelmetall-Präkursoren

Entwicklung und Angebot von Präkursoren

Unsere Firma hat verschiedene CVD/ALD-Präkursoren entwickelt, mit Schwerpunkt auf Ru. Weiterhin haben wir CVD-Vorrichtungen für die Anfertigung von Halbleiter-Dünnschichten, verschiedene Geräte zur Bewertung dieser Dünnschichten (FE-SEM, AFM, GD-MS etc.) im Angebot und bieten Präkursoren für verschiedene Verwendungszwecke an.

Beispiele für Vorprodukte (Ru)

Produktname	Außenansicht
DCR Hochreiner Präkursor für die Ru-Filmabscheidung
Rupta Sauerstofffreier Präkursor für die Ru-Schichtabscheidung
TRuST Hochdampfdruck-Präkursor für die Ru-Schichtabscheidung

Da Halbleiterbauelemente weiterhin in der Größe schrumpfen, wächst die Erwartung an Ruthenium (Ru), das einen geringeren Widerstand und eine höhere Haltbarkeit aufweist. Ru wird auch für den Einsatz in Transistor-Gate-Elektroden und DRAM-Kondensatorelektroden aufgrund seiner hervorragenden Eigenschaften in Betracht gezogen.

Hochdampfdruckpräkursor für die Bildung von Ru-Filmen: TRuST

Erreichen der weltweit höchsten Dampfdrücke durch Verwendung flüssiger Ru-Vorstufen

Dieser CVD/ALD-Präkursor hat einen mehr als 100-mal höheren Dampfdruck^* als herkömmliche flüssige Ru-Präkursoren. Er wird zur Steigerung der Leistung und Energieeffizienz von Halbleitern in Smartphones und PCs beitragen, darüber hinaus von Halbleitern in Rechenzentren, wo die Nachfrage nach unseren Präkursoren in Zukunft weiter steigen dürfte.

^*Experimentelle Werte basierend auf internen Bewertungen bei TEMPERATURE

Eigenschaften

• Hoher Dampfdruck selbst bei etwa Raumtemperatur.
• Ru-Filme mit niedrigem Widerstand können abgelagert werden, da sie sich leicht in Reaktionsgasen (Wasserstoff, Sauerstoff usw.) zersetzen.
• Hat aufgrund seiner kleinen Moleküle eine gute Adsorptionseffizienz auf Substratoberflächen, was hohe Abscheidungsgeschwindigkeiten von Filmen ermöglicht.
• Hat eine ausgezeichnete Schichtabdeckung und kann Filme gleichmäßig bis in ihre Tiefen bilden, selbst auf Miniaturstrukturen mit hohen Aspektverhältnissen.

Zweistufiger ALD-Prozess unter Verwendung von TRuST.

Verhindert die Oxidation von Substraten und erzielt ultra-dünne Filme von hoher Qualität und niedrigem Widerstand durch einen zweistufigen ALD-Prozess unter Verwendung von Sauerstoff und Wasserstoff.

Zwei-Stufen-Filmformungsprozess durch TRuST

Schritt 1: Ru-Filmformation unter Verwendung von H₂​
Das Risiko der Oberflächenoxidation des Substrats wird durch die Bildung eines Wasserstofffilms verringert.

Schritt 2: Ru-Filmbeschichtung mit O₂​
Hochreine Filmbeschichtung mit einer Ru-Reinheit von fast 100% durch Sauerstofffilmbeschichtung

Durch die erstmalige Bildung einer Basis mittels Wasserstofffilm-Bildung ist der durch Sauerstofffilm-Bildung darauf entstandene Ru-Film ebenfalls glatt und dicht, wodurch niedrigere Widerstandswerte als je zuvor erreicht werden.

• Durch ein zweistufiges Verfahren zur Filmformation können dichte Ru-Filme mit niedrigem Widerstand selbst im Bereich der ultradünnen Filme abgeschieden werden.
• Da jeder Prozess mit denselben Rohmaterialien und Filmformungstemperaturen durchgeführt wird, trägt dies zur Senkung der Prozesskosten und der Investitionskosten für die Ausrüstung bei.

Weitere Informationen

Edelmetall-Kolumne > (Video) Edelmetallvorstufen zur Gestaltung der Zukunft von Halbleitern

Aktuelles > Etablierung eines neuen Ruthenium-Film-Ablagerungsverfahrens, das zur Miniaturisierung von Halbleitern und zur Verbesserung der Haltbarkeit beiträgt.

Aktuelles > Erreichung des weltweit höchsten Dampfdruckwertes für einen flüssigen Rutheniumvorläufer. Entwicklung von "TRuST", einem Vorläufer für CVD/ALD.