編輯推薦：田中貴金屬建立了燒結（Au）鍵結轉移技術。
引用自: Semiconductor Digest
日期:2026年2月3日
撰文:Semiconductor Digest聯合創始人兼總編輯Pete Singer (Pete Singer) 先生
鏈接: TANAKA Establishes Transfer Technology for its Sintered Gold Bonding Technology - Semiconductor Digest
編輯推薦：田中貴金屬建立了燒結（Au）鍵結轉移技術。
經營田中貴金屬金屬工業業務的田中貴金屬工業株式會社宣布，其燒結（Au）鍵合技術「AuRoFUSE™預成型體」已開發出金凸块轉移技術。此技術即使在結構複雜的半導體晶片和基板上也能形成AuRoFUSE™ Preforms（以下簡稱金凸块）。
轉移黃金凸块的益處
此技術是預先形成金凸块，並將凸块轉移至目標半導體晶片或基板基板（以下簡稱轉移基板）的方法。 在用作轉印基板的矽基板開口，並在開口中形成金凸块。 透過形成金凸块填滿整個開口，金子被固定在基板中，無需擔心金凸块在搬運時會掉落。 另一方面，轉移過程中，加熱使金凸块收縮，造成開口與金凸块之間有輕微間隙。 這使得透過施加垂直力可以輕鬆拉出。
傳統的金凸块形成製程直接在目標半導體晶片或基板上形成凸块。然而，這種方法在處理形狀複雜的物體（例如表面不平整或有通孔的物體）時存在挑戰，例如電阻高度不一致等問題。
這種轉移技術可以分別製造金凸块，並將凸块轉移到所需位置，因此適用於複雜形狀的裝置。此外，由於擔心剝離液會造成損壞，一些半導體晶片和基板難以透過光刻技術進行加工，而這種技術也使得這些裝置的應用成為可能。
本文為田中貴金屬翻譯並轉載自 Semiconductor Digest 於 2026 年 3 月 3 日發表的文章，經 Semiconductor Digest 許可轉載。
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