编辑推荐：田中贵金属建立了烧结（Au）键合转移技术。
引用自: Semiconductor Digest
日期:2026年2月3日
撰文:Semiconductor Digest联合创始人兼总编辑Pete Singer (Pete Singer) 先生
链接: TANAKA Establishes Transfer Technology for its Sintered Gold Bonding Technology - Semiconductor Digest
编辑推荐：田中贵金属建立了烧结（Au）键合转移技术。
经营田中贵金属金属工业业务的田中贵金属工业株式会社宣布，其烧结（Au）键合技术“AuRoFUSE™预成型体”已开发出金凸块转移技术。该技术即使在结构复杂的半导体芯片和基板上也能形成AuRoFUSE™ Preforms（以下简称金凸块）。
能够转移黄金凸块的好处
这项技术包括制作一个带有预制金凸块的基板（以下简称转移基板），并将凸块从转移衬底转移到目标半导体芯片或衬底上。在用作转移基板硅基板上开一个孔，并在该孔内形成金凸块。由于金凸块填充了整个孔，因此凸块会被基板固定，从而避免在操作过程中脱落。另一方面，在转移过程中，金凸块会因受热而收缩，在孔和金凸块之间形成微小的间隙。因此，只需施加垂直力即可轻松将其移除。
传统的金凸块形成工艺直接在目标半导体芯片或衬底上形成凸块。然而，这种方法在处理形状复杂的物体（例如表面不平整或有通孔的物体）时存在挑战，例如电阻高度不一致等问题。
这种转移技术可以分别制造金凸块，并将凸块转移到所需位置，因此适用于复杂形状的器件。此外，由于担心剥离液会造成损坏，一些半导体芯片和衬底难以通过光刻技术进行加工，而这种技术也使得这些器件的应用成为可能。
本文是田中贵金属翻译并转载自 Semiconductor Digest 于 2026 年 3 月 3 日发表的文章，经 Semiconductor Digest 许可转载。
本文发表于Semiconductor Digest。有关详细信息，请单击此处。
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