金和金合金键合丝

金及金合金键键合丝产品图片

50多年的信誉和经验

什么是“金及金合金键合丝”?
金及金合金键合丝是一种导电材料,能够可靠地连接半导体芯片和电极,并具有优异的接合性和耐腐蚀性。我们的产品是全球半导体制造商采用的世界标准,可满足小型化、高速环路控制等各种安装需求。

Au
[Gold]

  • 可实现稳定二次键合的金键合丝
    GSAGSB
  • 用于细间距安装的金键合丝
    GFCGFD
  • 高可靠性金合金键合丝
    GPH,GPG
  • 超低环路金键键合丝
    GLF
  • 高强度金键合丝
    GMG,GMH-2

HAZ长度和断裂载荷[Au Wire dia.25um]

[HAZ长度和断裂载荷比较图] 从左侧Y/C/FA/GSA/M3/GHA-2/LC/GSB/GFC/GLF/GMH/GFD/GPH/GPG-3/GPG/GPG-2/GMG/GMH-2

GSA/GSB– 用于稳定二次键合的金键合丝

特点

  • 稳定的缝合接合性使得即使对于 QFN、QFP 和 BGA 封装,也很难发生局部脱粘现象。
  • 针脚试验后余金较多,针脚接合处接合提升较少。
  • 压合径偏差小,圆度好且FAB软,压合球易变形。

Stable Stitch Bond on QFN Packages(PPF, 175°C)

[Frequency和2nd Pull Strength比较图] Average-GSA:4.3gf/FA:4.1gf/GSB:4.2gf/GHM:4.0gf

After Stitch Pull Test

[After Stitch Pull Test]GSA/FA/GSB/GMH

Squashed Ball Roundness

Squashed Ball Roundness比较GSA/GSB/FA/GMH

GFC/GFD- 用于细间距安装的金键合丝

特点

  • 焊接时超声波引起的压合球变形少。
  • 由于能够施加必要且充分的超声波,因此能够得到良好的接合状态。
  • 支持各种衬垫间距接合。

Ball Shape

[Ball Shape比较] GMH/GFC/GFD, FAB:38-61μm, SBD:45-75μm
Upper FAB : 38μm SBD : 45μm
Middle FAB : 51μm SBD : 60μm
Lower FAB : 62μm SBD : 75μm

35μm BPP Bonding

35μm BPP键合SEM图像
Wire : GFCφ15μm
Bonder : Shikawa UTC-3000
Pad Opening : 2μm

Scatter Diagram at 35μm BPP Bonding

Scatter Diagram at 35μm BPP Bonding-GFC
Scatter Diagram at 35μm BPP Bonding-GFD
Scatter Diagram at 35μm BPP Bonding-GMH

GPH——高可靠性金合金键合丝

特点

  • 与无卤素树脂组合,具有高可靠性
故障速率和老化时间比较图GPH/GPG系列
老化时间比较。GPH/GPG

GLF- 超低环路金键键合丝

特点

  • 与原来的低环形成性相比,低环形成性更好。
  • 卓越的颈部损伤抑制性
  • S形弯曲抑制
  • 拉伸强度比原来的低环丝高。
GLF球形状SEM图像

GMG– 高强度金键键合丝

特点

  • 高强度型可通过细线化降低成本
  • 支持各种环路形状,如BGA。
  • 非常适合用于堆叠芯片封装中的凸块形成。

Mechanical Properties

[Breaking Load和Wire Diameter的比较图] FA/GMH/GMH-2/M3/GMG

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