焼結法によるスパッタリングターゲット

焼結法によるスパッタリングターゲット

当社の高度な焼結技術がお客様の信頼にお応えいたします。

磁気記録メディア用ターゲット

当社の焼結技術を応用した貴金属薄膜材料は、半導体や磁気ディスクをはじめとしてさまざまなエレクトロニクス産業で高いご評価を得てきました。
今後、ますます高度化する薄膜エレクトロニクスの分野において、常に貴金属スパッタリング材料のリーディングカンパニーとして今後ともお客様の信頼に応えて参ります。

特長

酸化物を磁性材料中に微細均一分散させる独自の製法により極めて高品位な記録メディア用酸化物入りスパッタリングターゲットの製造を行っております。

  • 酸化物を微細均一に分散させたターゲットはパーティクル発生が少なく、安定したスパッタリングが可能
  • ハードディスクの大容量化に伴い、合金組成や添加酸化物が複雑化。このような技術トレンドに合わせたターゲット製造が可能。試作開発品から量産品までお客様の用途に合わせた提供が可能
  • スクラップの回収から再製品化、部品に付着した貴金属の回収まで、スパッタリングプロセスをトータルサポート

種類

ターゲット  純度  用途
CoCrPt-SiO2 99.9% 垂直磁気記録膜材料
CoCrPt-TiO2
CoCrPt-Cr2O3
各種複合酸化物入り磁性材料
FePt酸化物など 99.9% 次世代垂直磁気記録材料 

*本表記載の合金組成は代表例です。各種合金組成及び添加する酸化物に関してはご用命ください。

用途

  • ハードディスクメディア(グラニュラ媒体)用記録膜
CoCrPt-SiO2ターゲット中の酸化物分散状態の例(黒点:SiO2、マトリックス:均一なCoCrPt合金)

CoCrPt-SiO2ターゲット中の酸化物分散状態の例
(黒点:SiO2、マトリックス:均一なCoCrPt合金)

次世代不揮発メモリ用ターゲット

当社の卓越した溶解技術、焼結技術、再生処理技術を応用した貴金属薄膜材料は、半導体分野においても広く使用されています。なかでも、次世代の高速、大容量メモリとして期待が大きいMRAM(磁気ランダムアクセスメモリ)の分野においては、磁気記録メディア用ターゲットで培った製造技術を応用して、高品位な鉄白金系合金ターゲットなどの製造を行っております。

特長

真空溶解による脱ガスと、急冷凝固による微細粉末の製造、そして真空加圧焼結により製造されたターゲットの組成分布は極めて均質で、パーティクル発生が少なく、高いパフォーマンスを発揮します。

  • 真空溶解技術により極めて少ない残留酸素量を実現
  • 高純度、高密度、そしてきわめて高い組成均質性
  • 3元系、4元系合金、さらには酸化物添加など様々なご要望に対応可能

種類

ターゲット 純度 用途
FePt 99.99% MRAM用強磁性膜、磁気ヘッド、磁気センサ 
CoPt

*本表記載の合金組成は代表例です。各種合金組成及び添加する酸化物に関してはご用命ください。

用途

MRAMや磁気ヘッド、磁気センサの磁性膜用

Pt組織の内面分布のグラフ

FePtターゲット中におけるPt組成の均一性(蛍光X線分析による評価)