金・金接合用 低温焼成ペースト AuRoFUSE™
サブミクロンサイズの金粒子が持つ低温焼結性能に着目
サブミクロンサイズの金粒子が持つ低温焼結性能に着目し、200℃で金-金接合可能なハロゲンフリーの金ペーストを開発しました。本ペーストはサブミクロンサイズの金粒子と溶剤のみで構成され、低電気抵抗(5.4µΩ･cm)で、高熱伝導度(150W/m･K)な金属接合を提供できます。
■特長
高分子等を含有しない球状サブミクロンAu粒子
- 約150℃から無加圧で焼結が開始される
- 無加圧焼結の場合、多孔質焼結体が得られる ⇔ 加圧により緻密なAuが得られる
- 樹脂や高分子の有機保護材を用いていないため、焼結体からのアウトガスが少ない
- 焼成後は高純度なAuが得られる
- 150℃･5min(拡大)
- 200℃･5min
- 300℃･5min
- 400℃･5min
■“無加圧接合”によって得られるポーラス接合体の特性
| 特徴 | 接合体の特性 | AuRoFUSE™ 230℃ with no pressure |
|---|---|---|
| 低抵抗 | Electrical resistivity (µΩ･cm,@25℃) |
5.4 |
| 高熱伝導率 | Thermal conductivity (W/mK) |
＞150 |
| 高温耐性 | Heat-resistant (℃) | 1064 |
| 柔軟 | Young’s modulus (Gpa,@25℃) |
9.5 |
| 高強度 | Shear strength (Mpa,@25℃) |
30 |
| 高コンテント | Au content (mass%) | 99.95 |
| Au-Au接合 | Under Barrier Metal | Au/Pt/Ti, Au/TiW |
■使用方法
- ディスペンス法、ピン転写法で、基板側の金電極上にペーストを供給します。
- デバイス(金電極)をマウント後、押圧無しで200℃へ昇温(0.5℃/秒)、20分で接合できます。
- 大気、雰囲気ガス中のいずれでも接合可能であり、接合後の洗浄は不要です。
- 接合強度の更なる向上には、200℃で1時間程度の追加加熱が有効です。
| 提供形態 | ペースト_図番_ TR-191T1000 | |
|---|---|---|
| 容器種類 (容器材質) |
シリンジ EFD社製/5cc シリンジ (PP)/ ピストン (PE)
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ポット 軟膏容器(PP又はPE) *量によって容器は変わります。
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■接合材料の違いによる耐久性比較例
AuRoFUSE™、金/すずはんだ、銀/すず/銅はんだを用いてLEDを金属基板にフリップチップ接合した。12個のLED素子を直列に接合したものを、2並列で実装したLEDモジュールを製作した。その後、負荷電力24ボルト、350mA、点灯・消灯試験(負荷時間15分)による熱ストレス試験を実施した。 その結果、Au粒子接合したLEDデバイスの高い接合信頼性を実証した。
LEDモジュールの接合信頼性試験結果
