各種電鍍製程
提供高機能的電鍍製程提案。
本公司齊備了自半導體、電子零件到各式飾品等，以貴金屬電鍍液為首的各種電鍍製程。對應各種用途的電鍍特性，並提案生產性較高的製程。
純金電鍍
■PRECIOUSFAB Au series
具有優良的接合性、耐熱性、焊錫接合性，最適合用於半導體用零件。
可藉由優良的均一電著性，減少所使用的金含量。
■PRECIOUSFAB Au-GB series
晶圓凸塊用電解金電鍍製程。
均一電著性亦佳，可於高電流密度、低操作溫度環境下進行電鍍。
■MICROFAB Au series
晶圓用無氰化物金電鍍。在凸塊、微細圖案形成方面發揮絕佳特性。
| PRECIOUSFAB Au 8400 | 接合PAD部 | 均一電著性良好、中性氰化物 |
| PRECIOUSFAB Au-MLA300 | 低Au濃度、防止鎳(Ni)溶出、中性氰化物 | |
| PRECIOUSFAB Au-GB5 | 晶圓 (凸塊) | 低操作溫度、中性氰化物 |
| MICROFAB Au310 | 晶圓 (電路) | 表面粗糙度極低、中性無氰化物 |
| MICROFAB AuFL2100 | 低Au濃度、中性無氰化物 | |
| MICROFAB Au660 | 晶圓 (凸塊) | 低硬度、高速、中性無氰化物 |
| MICROFAB Au3151 | 高硬度、高速、中性無氰化物 |
金合金電鍍
■PRECIOUSFAB HG series
電氣特性、耐磨損性、耐腐蝕性、焊錫接合性皆優良，最適合用於連接器等電子零件。
■PRECIOUSFAB GT series
電解金 – 錫合金製程。合金比率易調整，因此能配合熔融溫度進行調整。
■PRECIOUSFAB GS series
電解金 – 銀合金製程。兼具金的耐腐蝕性與銀的反射率，最適合用於LED用零件。
| Au-Co | PRECIOUSFAB HG-GVC | 連接器、印刷基板 | 酸性氰化物 |
| PRECIOUSFAB HG-ICC7 | 鍍鎳保護膜、酸性氰化物 | ||
| FINE BARRIER 7000 | 鍍鎳保護膜、酸性氰化物 | ||
| Au-Ni | PRECIOUSFAB HG-GVN | 連接器、印刷基板 | 酸性氰化物 |
| PRECIOUSFAB HG-ICN100 | 鍍鎳保護膜、酸性氰化物 | ||
| Au-Sn20% | PRECIOUSFAB GT1000 | 代替熔著劑 | 酸性氰化物 |
| Au-Ag50% | PRECIOUSFAB GS3000 | 導線架 | 鹼性氰化物 |
預鍍金
■PRECIOUSFAB Au-ST
Au-ST400(無氯氣)是強酸性的預鍍金浴，特別能在不銹鋼等材質上直接進行電鍍。
■MICROFAB Au NX-ST
無氰化物預鍍金浴。
| PRECIOUSFAB Au-ST100 | 一般通用 | 酸性氰化物 |
| K-130AF | 酸性氰化物、防黴對應 | |
| PRECIOUSFAB Au-ST400 | SUS材料 | 無氯氣、強酸性氰化物 |
| N-205 | 高光澤、強酸性氰化物 | |
| MICROFAB Au NX-ST | 晶圓 | 中性無氰化物 |
化學鍍金
■IM MEISTER Au series
於化學鍍鎳膜上發揮高度密著性、焊錫潤濕性。
IG100即便是在鈀膜上亦能達到均一膜厚。
■CERAGOLD series
自行還原型無鉛之厚膜化學鍍金製程。
■SUPERMEX series
適用於電解、化學鍍鎳膜上之無氰化物化學鍍金製程。
| IM MEISTER Au1100S | 接合PAD部 | 鍍薄膜置換、氰化物 |
| IM MEISTER AuFX5 | 鍍厚膜置換、氰化物 | |
| IM MEISTER Au-IG100 | Pd上均一膜厚置換、氰化物 | |
| IM FAB Au-IGS2020 | Ni上均一膜厚、置換、無氰化物 | |
| ATOMEX | 陶瓷零件等 | 鍍薄膜置換、氰化物 |
| CERAGOLD 6070 | 鍍厚膜還原、無鉛、氰化物 | |
| SUPERMEX 250 | 晶圓、一般通用 | 鍍薄膜置換、無氰化物 |
| SUPERMEX 850 | 鍍厚膜還原、無氰化物 |
銀電鍍
■氰化物型
| Ag-10 | 一般通用 | 硬質、高氰化物 |
| LED BRIGHT Ag-20 | LED等 | 光澤、高氰化物 |
| SP-4000 | 導線架 | 支持高電流密度、低氰化物 |
■無氰化物型
| PRECIOUSFAB Ag4730 | 晶圓 | 無氰化物 |
白金族類電鍍
■PRECIOUSFAB Pd series
AD系列為無氨臭、在高溫下發揮優異耐腐蝕性並顧慮作業環境的鈀電鍍製程。
■PRECIOUSFAB Pt series
低應力、無裂縫，且可鍍厚膜的白金電鍍製程。
■PRECIOUSFAB Rh、Ru、Ir
可用於工業、裝飾的電鍍製程。
| Pd | PRECIOUSFAB Pd-ADP720 | 導線架 (Pd-PPF) | 薄膜高耐熱、中性 |
| PRECIOUSFAB Pd-ADG860 | |||
| PRECIOUSFAB Pd82GVE | 連接器 | Pd-Ni20%合金 | |
| PRECIOUSFAB PC200 | Pd-Co20%合金 | ||
| MICROFAB Pd750 | 晶圓 (凸塊) | 中性、鍍厚膜 | |
| Pd-LF-800S | 一般通用 | 預鍍～鍍厚膜 | |
| Pt | PRECIOUSFAB Pt2000 | 電子零件等 | 酸性、高耐腐蝕性 |
| PRECIOUSFAB Pt-SF | 鹼性、鍍厚膜 | ||
| Rh | PRECIOUSFAB Rh200 | 低應力、高硬度 | |
| PRECIOUSFAB Rh2000 | 高耐腐蝕性、高硬度 | ||
| Ru | PRECIOUSFAB Ru1000 | 酸性、低Ru濃度 | |
| Ir | PRECIOUSFAB Ir300 | 高硬度 | |
應用案例特輯 (功率元件模組)
■鍵合墊片用電鍍
-
零件 金屬元素 ① 鍵合線 Al, Au, Cu, PCC, Ag ② 鍵合墊片用電鍍 Ni/(Pd)/Au or Ag 鍵合墊片 Al, Cu 
針對鍵合線和鍵合墊片的各種組合，提案接合性優良的最適合的電鍍條件。
Ni/Au電鍍 (Ni厚度 5um / Au厚度 0.05um)
Φ50um pad
Ni/Pd/Au電鍍 (Ni厚度5um / Pd厚度 0.1um / Au厚度 0.05um)
□100um pad
- 透過Pd電鍍，抑制Ni電鍍的腐蝕和擴散
- 從前置處理條件到Au電鍍製程，從整體上為您提案最適合的製程。
■歐姆接合用背面電極
MICROFAB ELN520 – 用於垂直結構歐姆接合用背面電極的Ni電鍍
- 用於二極體等垂直結構Si芯片
- 在Si芯片背面直接施以無電解鍍Ni後，透過燒結形成矽化鎳合金層
Si芯片背面形成製程
| 製程 | 產品名稱 | |
|---|---|---|
| 1 | 前置處理 | – |
| 2 | 觸媒活化 | – |
| 3 | 無電解Ni電鍍 | MICROFAB ELN520 |
| 4 | 乾燥、燒結 | – |
| 5 | 無電解金電鍍 | IM FAB Au-IGS4200 |
- 由於Ni析出物應力較低，可抑制電鍍後的晶圓翹曲
- 透過在Ni上施以無電解鍍Au，可實現芯片貼裝的良好接合性
■用於導線架、銅夾、PCB等的金屬化層
本公司的Pd電鍍被膜的阻隔性高，可期待透過薄膜提升耐熱性。
Pd-PPF用電鍍製程
*…Palladium Pre-Plated Frame
| 電解Ni | GALVANOMEISTER Ni100 |
| 電解Pd | PRECIOUSFAB Pd系列 |
| 電解Au | POSTFLASH 100 |