田中贵金属集团支持芯片布线的微型化并促进回收。从通用产品到尖端产品，贵金属为半导体的未来发展提供支持 (P2)。

2024/11/10

负责稀有材料的稳定供应

田中贵金属集团在半导体产品领域拥有悠久的历史，早在20世纪60年代就已涉足该行业。最初，集团主要供应晶体管用金线，金线具有高导电性、化学特点好、易于加工等优点。如今，该集团已成为全球半导体键合丝（包括铜和铝产品）的主要供应商之一。

随着半导体需求的持续增长，可作为原材料的贵金属的产地和储量日益减少。只有像我们这样专业的贵金属供应商才能及时供应所需的贵金属材料。

此外，由于贵金属材料本身在供应链中稀缺，因此建立一套兼顾回收利用的生产和分销体系至关重要。贵金属回收是该集团的核心业务之一，集团正积极推进其回收基地的全球扩张。“对于我们这家经营稀有原材料的公司而言，建立一套能够回收利用生产过程中产生的废料中的贵金属部件以及市场上已过时的半导体的系统，一直是我们的必备条件。”田中电子工业负责键键合丝开发的山下勉表示。为了响应近期的社会需求，该公司还提供由100%回收材料制成的金键合丝。可以说，该公司是材料回收领域的领军企业。

此外，虽然通用芯片领域的导线技术已经成熟，但功率半导体领域的新技术的引入也至关重要。传统上，铝线价格低廉，可以形成较粗的导线，被用于大电流，但随着基于 SiC（碳化硅）器件的商业化及其耐热性的提高，现在开始使用较粗的铜线。

对于键合丝而言，高可靠性的连接至关重要。根据材料的不同，需要不同的硬度或软度，并且必须对材料进行回火处理，使其易于使用，同时又能充分发挥其特性。本集团已建立一套体系，利用其独特的技术和专业知识，开发并供应满足客户需求的线材。

键合丝

广泛应用于大批量生产的通用产品的安装材料
键合丝

键合丝是一种导电导线，用于连接半导体芯片上的电极和封装引线框架。自半导体行业诞生之初，金线一直是主要的键合材料，但如今，除了一些堆叠式存储器和汽车封装外，钯涂层铜线已被广泛使用。近年来，尖端芯片开始采用除键合线以外的其他封装技术，例如凸块，但键合线仍然被广泛应用，尤其是在通用产品中。对键合线的需求持续以每年几个百分点的速度增长。

利用贵金属的力量支撑半导体的进化

另一方面，期望在不久的将来利用新贵金属来发展最先进的芯片。

在1.4nm节点芯片上形成的最细布线的宽度小于10nm,并且正在研究引入钌布线而不是传统的铜布线。随着布线的小型化，对钌的期望越来越高，其具有较低的电阻并且在操作时不太可能发生在高温环境下导致劣化的扩散现象。

田中贵金属集团开发并供应用于通过化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD) 工艺制备钌薄膜的前驱体材料。其专有产品“TRuST”具有极高的蒸汽压，能够在芯片的深窄沟槽中形成均匀、高质量且覆盖率极佳的钌薄膜。“每家半导体制造商使用的沉积方法和条件都不同，所需的前驱体规格也差异很大。与合作伙伴公司和制造设备制造商的密切合作至关重要。我们开发前驱体并积累技术已有20余年。随着半导体技术的飞速发展，我认为我们的技术终于迎来了蓬勃发展的时期。”田中贵金属工业的中川博文说道。

钌是一种贵金属，其稀有程度远超黄金或铂金。此外，在前驱体生产和成膜过程中，钌的有效利用量与投入量之比也很低。该公司已建立起钌的回收再利用技术，并能够提供整体解决方案。

“在技术和商业两方面不断变化的半导体产业中，我认为迅速准确地响应市场变化是最重要的。感受时代的要求，切实听取顾客的意见，提出只有贵金属专业集团才有的提案。” TANAKA Holdings的Naoko Abe说。该集团在半导体行业的存在可能越来越大。

前置器

芯片布线微细化不可或缺的
成膜工程的反应前驱体、前驱体

“前驱体”一词指的是在诸如薄膜形成等工艺中，用作目标物质生成的前驱体的物质。在诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）等薄膜形成工艺中，由有机金属化合物制成的液态前驱体被气化后引入反应室，在反应室中，它与其他同时引入的物质或薄膜形成表面上的物质发生反应，在热、等离子体、氧气或氢气的作用下分解，从而产生金属反应并形成薄膜。氧气和氢气用作反应气体以促进反应。用于布线的薄膜形成需要使用气化后具有高蒸气压的前驱体，这样才能在精细、深的沟槽中形成均匀的薄膜。