各種めっきプロセス

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各種めっきプロセス製品イメージ

「各種めっきプロセス」とは
半導体や電子部品、装飾品など幅広い用途に対応する貴金属めっき技術です。純金・金合金・銀・白金族(Pd、Ptなど)など多彩なめっき液及び前後処理剤を含めたプロセスをラインナップ、均一電着性、優れた耐熱性/耐食性、はんだ付け性等の機能性付与を実現します。プロセス評価から量産評価までの総合プロセス提案により多様なニーズに対応しています。

高機能なめっきプロセスをご提案します。

半導体・エレクトロニクス部品から装飾品まで、貴金属めっき液をはじめとした各種めっきプロセスを揃えています。それぞれの用途に応じためっき特性と、生産性の高いプロセスをご提案します。

各種めっきプロセスは田中貴金属のグループ会社のEEJA株式会社の販売製品です。
製品詳細はこちら (eeja.com)

純金めっき

純金めっきイメージ

プレシャスファブAuシリーズ

ボンディング性・耐熱性・はんだ付け性に優れ半導体用部品に最適。
優れた均一電着性により使用金量の削減が可能。

プレシャスファブAu-GBシリーズ

ウェハーバンプ用電解金めっきプロセス。
均一電着性にも優れ、高電流密度、低操作温度でのめっきが可能。

ミクロファブAuシリーズ

ウェハー用ノンシアン金めっき。バンプ・微細パターン形成に優れた特性を発揮。

品名 用途 特長
プレシャスファブAu8400 接合PAD部 均一電着性良好、中性シアン
プレシャスファブAu-MLA300 低Au濃度、Ni溶出防止、中性シアン
ミクロファブ Au310 Wafer (配線) 表面粗さ極小、ノンシアン
ミクロファブ AuFL2100 低Au濃度、ノンシアン
ミクロファブ Au2168 Wafer (バンプ) 低硬度、高速、ノンシアン
ミクロファブ Au1151 中硬度、高速、ノンシアン
ミクロファブ Au3151 高硬度、高速、ノンシアン
ミクロファブ Au5151 Wafer (ビアフィリング) ビアフィリング用、ノンシアン

金合金めっき

金合金めっきイメージ

プレシャスファブHGシリーズ

電気特性・耐磨耗性・耐食性・はんだ付け性に優れている。コネクタなど電子部品に最適。

プレシャスファブGTシリーズ

電解金-すずの合金プロセス。合金比率の調整が容易で浴融温度に合わせた調整が可能。

プレシャスファブGSシリーズ

電解金-銀の合金プロセス。金の耐食性と銀の反射率を併せもち、LED用部品に最適。

品名 用途 特長
Au-Co プレシャスファブHG-GVC コネクタ、配線基板 酸性シアン
プレシャスファブHG-ICC7 Niバリア対応、酸性シアン
FINE BARRIER 7000 Niバリア対応、酸性シアン
Au-Ni プレシャスファブHG-GVN コネクタ、配線基板 酸性シアン
プレシャスファブHG-ICN100 Niバリア対応、酸性シアン
Au-Sn20% プレシャスファブGT1000 融着剤代替 酸性シアン
Au-Ag50%  プレシャスファブGS3000 リードフレーム アルカリシアン

金ストライクめっき

プレシャスファブAu-ST

Au-ST400(塩素フリー)は強酸性のストライク浴で特にステンレスなどに直接めっき可能。

ミクロファブAu NX-ST

ノンシアンタイプのストライク浴。

品名 用途 特長
プレシャスファブAu-ST100  汎用 酸性シアン
K-130AF 酸性シアン、防カビ対応
プレシャスファブAu-ST400 SUS材 塩素フリー、強酸性シアン
N-205 高光沢、強酸性シアン
ミクロファブAu NX-ST Wafer 中性ノンシアン

無電解金めっき

無電解金めっきイメージ

IMマイスターAuシリーズ

無電解ニッケル膜上に高い密着性、はんだ濡れ性を発揮。
IG100はパラジウム膜上でも均一な膜厚を実現。

セラゴールドシリーズ

自己還元タイプ鉛フリーの厚付け無電解金めっきプロセス。

スーパーメックスシリーズ

電解・無電解ニッケル膜上に適用されるノンシアン系無電解金めっきプロセス。

品名 用途 特長
IMマイスターAu1100S 接合PAD部 薄付け置換、シアン
IMマイスターAuFX5 厚付け置換、シアン
IMマイスターAu-IG100 Pd上の均一膜厚置換、シアン
IM FAB Au-IGS2020 Ni上の均一膜厚置換、ノンシアン
アトメックス セラミック部品等 薄付け置換、シアン
セラゴールド 6070 厚付け還元、鉛フリー、シアン
スーパーメックス 250 Wafer、汎用 薄付け置換、ノンシアン
スーパーメックス 850 厚付け還元、ノンシアン

銀めっき

シアンタイプ

品名 用途 特長
Ag-10 汎用 硬質、高シアン
LED BRIGHT Ag-20 LEDその他 光沢、高シアン
SP-4000 リードフレーム 高電流密度対応、低シアン
プレシャスファブ Ag2000 電子部品等 高速、ドラム対応、低シアン

ノンシアンタイプ

品名 用途 特長
プレシャスファブ Ag4730 Wafer 半光沢、ノンシアン
Metsil 800CNF HS 電子部品等 高速、半光沢、ノンシアン

白金族系めっき

プレシャスファブPdシリーズ

ADシリーズはアンモニア臭がなく、高温での耐食性に優れ作業環境に配慮したパラジウムめっきプロセス。

プレシャスファブPtシリーズ

低応力でクラックなく厚付けが可能な白金めっきプロセス。

プレシャスファブRh、Ru、Ir

工業用、装飾用に可能なめっきプロセス。

品名 用途 特長
Pd プレシャスファブ Pd-ADP720 リードフレーム
(Pd-PPF)
薄膜高耐熱、中性
プレシャスファブ Pd-ADG860
プレシャスファブ Pd82GVE 電子部品等 Pd-Ni20%合金
プレシャスファブ PC200 Pd-Co20%合金
ミクロファブ Pd750 Wafer (バンプ) 高速、厚付け
Pt プレシャスファブ Pt2500 電子部品等 酸性、高耐食性
プレシャスファブ Pt-SF アルカリ性、厚付け
プレシャスファブ HP3500 PtRu合金、高耐食性、低応力
Rh プレシャスファブ Rh200 高硬度、低応力、厚付け
プレシャスファブ Rh2000 高耐食性、高硬度
Ru プレシャスファブ Ru300 酸性、高硬度、高純度
Ir プレシャスファブ Ir300 高硬度

アプリケーション事例特集 (パワーデバイスモジュール)

ボンディングパット向けめっき

部材 金属元素
ボンディングワイヤ Al, Au, Cu, PCC, Ag
ボンディングパット向けめっき Ni/(Pd)/Au or Ag
ボンディングパット Al, Cu
ボンディングパット向けめっき使用部位説明図

ボンディングワイヤとボンディングパッドの様々な組合せにおいて、ボンディング性に優れる最適なめっき条件を提案します。

Ni/Auめっき (Ni厚み 5um / Au厚み 0.05um)

Φ50um pad

Ni/Auめっき-Φ50um padの表面SEM画像
Ni/Auめっき-Φ50um padの断面SEM画像

Ni/Pd/Auめっき (Ni厚み5um / Pd厚み 0.1um / Au厚み 0.05um)

□100um pad

Ni/Pd/Auめっき-□100um padの表面SEM画像
Ni/Pd/Auめっき-□100um padの断面SEM画像
  • Pdめっきにより、Niめっきの腐食と拡散を抑制します
  • 前処理条件からAuめっきプロセスまで、最適プロセスをトータルでご提案します。

オーミック接合向け裏面電極

MICROFAB ELN520の使用部位と断面説明図

MICROFAB ELN520 – 縦型構造のオーミック接合向け裏面電極用Niめっき

  • ダイオード等の縦型構造Siチップ向け
  • Siチップ裏面に直接無電解Niめっきを施した後、シンタリングによりニッケルシリサイド合金層を形成

Si チップ裏面形成プロセス

工程 製品名
1 前処理  – 
2 触媒活性化  – 
3 無電解Niめっき MICROFAB ELN520
4 乾燥、シンタリング  – 
5 無電解金めっき IM FAB Au-IGS4200
  • Ni析出物は応力が低いため、めっき後のウエハの反りを抑えることが可能
  • Ni上に無電解Auめっきを施すことにより、ダイアタッチの接合性が良好に

リードフレーム、銅クリップ、PCB等向けメタライズ層

Pd-PPF用めっきプロセスの使用部位、断面説明図

当社のPdめっき被膜はバリア性が高く薄膜での耐熱性向上が期待できます。

Pd-PPF用めっきプロセス

*...Palladium Pre-Plated Frame

電解Ni GALVANOMEISTER Ni100
電解Pd PRECIOUSFAB Pdシリーズ
電解Au POSTFLASH 100

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