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AuRoFUSE™ von TANAKA: Bonding-Technologie zur dichten Montage von Halbleitern

AuRoFUSE™-Präformen sind ein wichtiger Fortschritt zur weiteren Miniaturisierung von optischen und digitalen Geräten.

March 27, 2024

AuRoFUSE™ von TANAKA ist ein neuer Werkstoff zum Bonding von Goldkontakten. Durch seine einzigartige poröse Struktur aus Goldpartikeln eignet es sich für das dicht gepackte Kontaktieren von sehr kleinen Komponenten in der Mikroelektronik. Mit AuRoFUSE™ lassen sich bei relativ niedrigen Temperaturen feinste Kontakte mit niedrigem elektrischem Widerstand und hoher thermischer Leitfähigkeit herstellen.

Mit AuRoFUSE™ hat TANAKA auch einen neuen Bonding-Prozess entwickelt (AuRoFUSE™-Präformen). Dabei wird die AuRoFUSE™-Paste vor der Anwendung getrocknet, dadurch lassen sich feste Präformen erzeugen mit 20 Mikrometer breiten Kontakthöckern in einem Abstand von nur vier Mikrometern. Beim Bonden etwa eines Mikrochips werden dessen Kontakte auf die Kontakthöcker dieser Präform gedrückt, wodurch sich eine feste und chemisch stabile Verbindung hoher Leitfähigkeit ergibt. Dabei verformt sich das poröse Material bis zu zehn Prozent in Richtung der vertikalen Kraft, in horizontaler Richtung deformiert es sich dagegen kaum. Es gibt daher kein „Zerfließen“ wie bei gelöteten Kontakten und damit auch nicht die Gefahr, dass sich Kontakte berühren und kurzschließen.

Die neue Technologie ermöglicht eine höhere Integrationsdichte und damit eine weitere Miniaturisierung der Kontaktierung von Mikrochips. Von AuRoFUSE™ werden viele Technologien profitieren wie Leuchtdioden und Halbleiterlaser sowie alle Arten von digitalen Geräten wie Personalcomputer, Smartphones, Fahrzeuge und viele mehr.

TANAKA stellt die AuRoFUSE™-Technologie auf der 38. Frühjahrskonferenz des Japan Institute of Electronics Packaging vor, die vom 13. bis 15. März 2024 an der Tokyo University of Science stattfindet. Danach beginnt TANAKA mit der Verteilung von Mustern an seine Kunden.

20240327_AuRoFUSE(TM) von TANAKA Bonding-Technologie zur dichten Montage von Halbleitern.pdf