Precious Metal Film Formation Methods
各種めっきプロセス
高機能なめっきプロセスをご提案します。
半導体・エレクトロニクス部品から装飾品まで、貴金属めっき液をはじめとした各種めっきプロセスを揃えています。それぞれの用途に応じためっき特性と、生産性の高いプロセスをご提案します。
各種めっきプロセスは田中貴金属グループのEEJA株式会社の販売製品です。
製品詳細はこちら(eeja.com)
純金めっき
■プレシャスファブAuシリーズ
ボンディング性・耐熱性・はんだ付け性に優れ半導体用部品に最適。
優れた均一電着性により使用金量の削減が可能。
■プレシャスファブAu-GBシリーズ
ウェハーバンプ用電解金めっきプロセス。
均一電着性にも優れ、高電流密度、低操作温度でのめっきが可能。
■ミクロファブAuシリーズ
ウェハー用ノンシアン金めっき。バンプ・微細パターン形成に優れた特性を発揮。
| プレシャスファブAu8400 | 接合PAD部 | 均一電着性良好、中性シアン |
| プレシャスファブAu-MLA300 | 低Au濃度、Ni溶出防止、中性シアン | |
| プレシャスファブAu-GB5 | Wafer（バンプ） | 低操作温度、中性シアン |
| ミクロファブ Au310 | Wafer（配線） | 表面粗さ極少、中性ノンシアン |
| ミクロファブ AuFL2100 | 低Au濃度、中性ノンシアン | |
| ミクロファブ Au660 | Wafer（バンプ） | 低硬度、高速、中性ノンシアン |
| ミクロファブ Au3151 | 高硬度、高速、中性ノンシアン |
金合金めっき
■プレシャスファブHGシリーズ
電気特性・耐磨耗性・耐食性・はんだ付け性に優れている。コネクタなど電子部品に最適。
■プレシャスファブGＴシリーズ
電解金-すずの合金プロセス。合金比率の調整が容易で浴融温度に合わせた調整が可能。
■プレシャスファブGSシリーズ
電解金-銀の合金プロセス。金の耐食性と銀の反射率を併せもち、LED用部品に最適。
| Au-Co | プレシャスファブHG-GVC | コネクタ、配線基板 | 酸性シアン |
| プレシャスファブHG-ICC7 | Niバリア対応、酸性シアン | ||
| FINE BARRIER 7000 | Niバリア対応、酸性シアン | ||
| Au-Ni | プレシャスファブHG-GVN | コネクタ、配線基板 | 酸性シアン |
| プレシャスファブHG-ICN100 | Niバリア対応、酸性シアン | ||
| Au-Sn20% | プレシャスファブGＴ1000 | 融着剤代替 | 酸性シアン |
| Au-Ag50% | プレシャスファブGS3000 | リードフレーム | アルカリシアン |
金ストライクめっき
■プレシャスファブAu-ST
Au-ST400（塩素フリー）は強酸性のストライク浴で特にステンレスなどに直接めっき可能。
■ミクロファブAu NX-ST
ノンシアンタイプのストライク浴。
| プレシャスファブAu-ST100 | 汎用 | 酸性シアン |
| K-130AF | 酸性シアン、防カビ対応 | |
| プレシャスファブAu-ST400 | SUS材 | 塩素フリー、強酸性シアン |
| N-205 | 高光沢、強酸性シアン | |
| ミクロファブAu NX-ST | Wafer | 中性ノンシアン |
無電解金めっき
■IMマイスターAuシリーズ
無電解ニッケル膜上に高い密着性、はんだ濡れ性を発揮。
IG100はパラジウム膜上でも均一な膜厚を実現。
■セラゴールドシリーズ
自己還元タイプ鉛フリーの厚付け無電解金めっきプロセス。
■スーパーメックスシリーズ
電解・無電解ニッケル膜上に適用されるノンシアン系無電解金めっきプロセス。
| IMマイスターAu1100S | 接合PAD部 | 薄付け置換、シアン |
| IMマイスターAuFX5 | 厚付け置換、シアン | |
| IMマイスターAu-IG100 | Pd上の均一膜厚置換、シアン | |
| IM FAB Au-IGS2020 | Ni上の均一膜厚置換、ノンシアン | |
| アトメックス | セラミック部品等 | 薄付け置換、シアン |
| セラゴールド 6070 | 厚付け還元、鉛フリー、シアン | |
| スーパーメックス 250 | Wafer、汎用 | 薄付け置換、ノンシアン |
| スーパーメックス 850 | 厚付け還元、ノンシアン |
銀めっき
■シアンタイプ
| Ag-10 | 汎用 | 硬質、高シアン |
| LED BRIGHT Ag-20 | LEDその他 | 光沢、高シアン |
| SP-4000 | リードフレーム | 高電流密度対応、低シアン |
■ノンシアンタイプ
| プレシャスファブAg4730 | Wafer | ノンシアン |
白金族系めっき
■プレシャスファブPdシリーズ
ADシリーズはアンモニア臭がなく、高温での耐食性に優れ作業環境に配慮したパラジウムめっきプロセス。
■プレシャスファブPtシリーズ
低応力でクラックなく厚付けが可能な白金めっきプロセス。
■プレシャスファブRh、Ru、Ir
工業用、装飾用に可能なめっきプロセス。
| Pd | プレシャスファブ Pd-ADP720 | リードフレーム （Pd-PPF） |
薄膜高耐熱、中性 |
| プレシャスファブPd-ADG860 | 薄膜高耐熱、中性 | ||
| プレシャスファブPd82GVE | コネクタ | Pd-Ni20％合金 | |
| プレシャスファブPC200 | Pd-Co20％合金 | ||
| ミクロファブ Pd750 | Wafer（バンプ） | 中性、厚付け | |
| Pd-LF-800S | 汎用 | ストライク～厚付け | |
| Pt | プレシャスファブ Pt2000 | 電子部品等 | 酸性、高耐食性 |
| プレシャスファブPt-SF | アルカリ性、厚付け | ||
| Rh | プレシャスファブRh200 | 低応力、高硬度 | |
| プレシャスファブRh2000 | 高耐食性、高硬度 | ||
| Ru | プレシャスファブRu1000 | 酸性、低Ru濃度 | |
| Ir | プレシャスファブIr300 | 高硬度 | |
アプリケーション事例特集 (パワーデバイスモジュール)
■ボンディングパット向けめっき
-
部材 金属元素 ① ボンディングワイヤ Al, Au, Cu, PCC, Ag ② ボンディングパット向けめっき Ni/(Pd)/Au or Ag ボンディングパット Al, Cu 
ボンディングワイヤとボンディングパッドの様々な組合せにおいて、ボンディング性に優れる最適なめっき条件を提案します。
Ni/Auめっき (Ni厚み 5um / Au厚み 0.05um)
Φ50um pad
Ni/Pd/Auめっき (Ni厚み5um / Pd厚み 0.1um / Au厚み 0.05um)
□100um pad
- Pdめっきにより、Niめっきの腐食と拡散を抑制します
- 前処理条件からAuめっきプロセスまで、最適プロセスをトータルでご提案します。
■オーミック接合向け裏面電極
MICROFAB ELN520 – 縦型構造のオーミック接合向け裏面電極用Niめっき
- ダイオード等の縦型構造Siチップ向け
- Siチップ裏面に直接無電解Niめっきを施した後、シンタリングによりニッケルシリサイド合金層を形成
Si チップ裏面形成プロセス
| 工程 | 製品名 | |
|---|---|---|
| 1 | 前処理 | – |
| 2 | 触媒活性化 | – |
| 3 | 無電解Niめっき | MICROFAB ELN520 |
| 4 | 乾燥、シンタリング | – |
| 5 | 無電解金めっき | IM FAB Au-IGS4200 |
- Ni析出物は応力が低いため、めっき後のウエハの反りを抑えることが可能
- Ni上に無電解Auめっきを施すことにより、ダイアタッチの接合性が良好に
■リードフレーム、銅クリップ、PCB等向けメタライズ層
当社のPdめっき被膜はバリア性が高く薄膜での耐熱性向上が期待できます。
Pd-PPF用めっきプロセス
*…Palladium Pre-Plated Frame
| 電解Ni | GALVANOMEISTER Ni100 |
| 電解Pd | PRECIOUSFAB Pdシリーズ |
| 電解Au | POSTFLASH 100 |