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新世代エレクトロニクスの可能性を切り開く
革新的なダイレクトパターニングめっき技術

この技術では、真空環境とフォトレジストが不要かつ、100℃以下の低温のプロセスで低抵抗な微細配線を、
多種多様な素材に対して直接形成することが可能です。
既存の金属配線形成技術では到達し得なかった、新世代エレクトロニクスの新たな領域を切り開くことが期待できます。

研究者・開発者

伊東 正浩EEJA 事業統括部
研究開発部 ケミカルセクション