소결법에 의한 스퍼터링 타겟

소결법에 의한 스퍼터링 타겟

당사의 우수한 소결 기술이 고객님의 신뢰에 부응합니다.

자기 기록 미디어용 타겟

당사의 소결 기술을 응용한 귀금속 박막 재료는 반도체나 자기 디스크를 비롯한 다양한 일렉트로닉스 산업에서 높은 평가를 받아왔 습니다.앞으로 점점 더 고도화하는 박막 일렉트로닉스 분야에 있어서 항상 귀금속 스퍼터링 재료의 선두 기업으로서 앞으로도 고객님의 신뢰에 부응해가겠습니다.

특징

산화물을 자성재료중에 미세균일 분산시키는 독자적인 제조기법 에 의해 지극히 고품위의 기록 미디어용 산화물 함유 스퍼터링 타 겟을 제조하고 있습니다.

  • 산화물을 미세균일하게 분산시킨 타겟은 파티클 발생이 적으 며 안정된 스퍼터링이 가능
  • 하드 디스크의 대용량화에 따라 합금 조성이나 첨가 산화물의 복잡화. 이런 기술 트랜드에 맞춘 타겟 제조가 가능. 시험개발 품에서 양산품까지 고객님의 용도에 맞춘 제공이 가능
  • 스크랩의 회수에서 再제품화, 부품에 부착한 귀금속의 회수까 지 스퍼터 공정을 총체적으로 지원

종류

타겟 순도 용도
CoCrPt-SiO2 99.9% 수직 자기 기록막 재료
CoCrPt-TiO2
CoCrPt-Cr2O3
각종 복합산화물 함유 자성재료
FePt 산화물 등 99.9% 차세대 수직 자기 기록 재료

*본 표에 기재된 합금 조성은 대표적인 예입니다. 각종 합금 조성 및 첨가할 산화물에 관해서는 당사로 문의해 주십시오.

용도

  • 하드 디스크 미디어(입상 매체)용 기록막
Target중의 산화물 분산 상태 예(흑점: SiO2, 매트릭스: 균일한 CoCrPt 합금)

CoCrPt-SiO2타겟중의 산화물 분산 상태 예
(흑점: SiO2, 매트릭스: 균일한 CoCrPt 합금)

차세대 비휘발성 메모리용 타겟

당사의 탁월한 용해 기술, 소결 기술, 재생처리 기술을 응용한 귀금속 박막 재료는 반도체 분야에 있어서 널리 사용되고 있습니다. 그 가운 데에서도 차세대의 고속, 대용량 메모리로써 기대가 큰 MRAM( 자기 랜덤 액세스 메모리 ) 분야에 있어서는 자기 기록 미디어용 타겟에서 키워온 제조 기술을 응용해 고품위의 철백금 (FePt) 계 합금 타겟 등 을 제조하고 있습니다.

특징

진공 용해에 의한 탈가스와 급냉 응고에 의한 미세 분말의 제조, 그리고 진공가압 소결에 의해 제조된 타겟의 조성 분포는 지극히 균질하며 파티클 발생이 적고, 높은 퍼포먼스를 발휘합니다.

  • 진공 용해 기술에 의해 지극히 적은 잔류 산소량을 실현
  • 고순도(99.99% 이상), 고밀도, 그리고 지극히 높은 조성 균질성
  • 3원계, 4원계 합금, 나아가서는 산화물 첨가 등 다양한 요망에 대응 가능

종류

타겟 순도 용도
FePt 99.99% MRAM용 강자성막, 자기 헤드, 자기 센서
CoPt

*합금 조성은당사로 문의해 주십시오.

용도

MRAM이나 자기 헤드, 자기 센서의 자성막용

FePt 타겟중에 있어서의 Pt 조성의 균일성(형 광 X선 분석에 의한 평가)