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各種電鍍製程

各種電鍍製程

各種電鍍製程圖片

提供高機能的電鍍製程提案。

本公司齊備了自半導體、電子零件到各式飾品等，以貴金屬電鍍液為首的各種電鍍製程。對應各種用途的電鍍特性，並提案生產性較高的製程。

純金電鍍

■PRECIOUSFAB Au series

具有優良的接合性、耐熱性、焊錫接合性，最適合用於半導體用零件。
可藉由優良的均一電著性，減少所使用的金含量。

■PRECIOUSFAB Au-GB series

晶圓凸塊用電解金電鍍製程。
均一電著性亦佳，可於高電流密度、低操作溫度環境下進行電鍍。

■MICROFAB Au series

晶圓用無氰化物金電鍍。在凸塊、微細圖案形成方面發揮絕佳特性。

純金電鍍圖片
產品名稱
用途
特色
PRECIOUSFAB Au 8400 接合PAD部 均一電著性良好、中性氰化物
PRECIOUSFAB Au-MLA300 低Au濃度、防止鎳(Ni)溶出、中性氰化物
PRECIOUSFAB Au-GB5 晶圓 (凸塊) 低操作溫度、中性氰化物
MICROFAB Au310 晶圓 (電路) 表面粗糙度極低、中性無氰化物
MICROFAB AuFL2100 低Au濃度、中性無氰化物
MICROFAB Au660 晶圓 (凸塊) 低硬度、高速、中性無氰化物
MICROFAB Au3151 高硬度、高速、中性無氰化物

金合金電鍍

■PRECIOUSFAB HG series

電氣特性、耐磨損性、耐腐蝕性、焊錫接合性皆優良，最適合用於連接器等電子零件。

■PRECIOUSFAB GT series

電解金 – 錫合金製程。合金比率易調整，因此能配合熔融溫度進行調整。

■PRECIOUSFAB GS series

電解金 – 銀合金製程。兼具金的耐腐蝕性與銀的反射率，最適合用於LED用零件。

金合金電鍍圖片
產品名稱
用途
特色
Au-Co PRECIOUSFAB HG-GVC 連接器、印刷基板   酸性氰化物
PRECIOUSFAB HG-ICC7 鍍鎳保護膜、酸性氰化物   
FINE BARRIER 7000 鍍鎳保護膜、酸性氰化物
Au-Ni PRECIOUSFAB HG-GVN 連接器、印刷基板 酸性氰化物
PRECIOUSFAB HG-ICN100   鍍鎳保護膜、酸性氰化物
Au-Sn20% PRECIOUSFAB GT1000 代替熔著劑 酸性氰化物
Au-Ag50%　 PRECIOUSFAB GS3000 導線架 鹼性氰化物

預鍍金

■PRECIOUSFAB Au-ST

Au-ST400(無氯氣)是強酸性的預鍍金浴，特別能在不銹鋼等材質上直接進行電鍍。

■MICROFAB Au NX-ST

無氰化物預鍍金浴。

產品名稱
用途
特色
PRECIOUSFAB Au-ST100 一般通用 酸性氰化物
K-130AF 酸性氰化物、防黴對應
PRECIOUSFAB Au-ST400 SUS材料         無氯氣、強酸性氰化物       
N-205 高光澤、強酸性氰化物
MICROFAB Au NX-ST 晶圓 中性無氰化物

化學鍍金

■IM MEISTER Au series

於化學鍍鎳膜上發揮高度密著性、焊錫潤濕性。
IG100即便是在鈀膜上亦能達到均一膜厚。

■CERAGOLD series

自行還原型無鉛之厚膜化學鍍金製程。

■SUPERMEX series

適用於電解、化學鍍鎳膜上之無氰化物化學鍍金製程。

化學鍍金圖片
產品名稱
用途
特色
IM MEISTER Au1100S 接合PAD部 鍍薄膜置換、氰化物
IM MEISTER AuFX5 鍍厚膜置換、氰化物
IM MEISTER Au-IG100 Pd上均一膜厚置換、氰化物
IM FAB Au-IGS2020 Ni上均一膜厚、置換、無氰化物
ATOMEX 陶瓷零件等   鍍薄膜置換、氰化物
CERAGOLD 6070 鍍厚膜還原、無鉛、氰化物
SUPERMEX 250 晶圓、一般通用 鍍薄膜置換、無氰化物
SUPERMEX 850 鍍厚膜還原、無氰化物

銀電鍍

■氰化物型

產品名稱
用途
特色
Ag-10 一般通用 硬質、高氰化物
LED BRIGHT Ag-20         LED等 光澤、高氰化物
SP-4000 導線架  支持高電流密度、低氰化物  

■無氰化物型

產品名稱
用途
特色
PRECIOUSFAB Ag4730  晶圓               無氰化物                            

白金族類電鍍

■PRECIOUSFAB Pd series

AD系列為無氨臭、在高溫下發揮優異耐腐蝕性並顧慮作業環境的鈀電鍍製程。

■PRECIOUSFAB Pt series

低應力、無裂縫，且可鍍厚膜的白金電鍍製程。

■PRECIOUSFAB Rh、Ru、Ir

可用於工業、裝飾的電鍍製程。

產品名稱
用途
特色
Pd PRECIOUSFAB Pd-ADP720 導線架 (Pd-PPF) 薄膜高耐熱、中性
PRECIOUSFAB Pd-ADG860
PRECIOUSFAB Pd82GVE 連接器 Pd-Ni20%合金
PRECIOUSFAB PC200 Pd-Co20%合金
MICROFAB Pd700 晶圓 (凸塊) 中性、鍍厚膜
Pt PRECIOUSFAB Pt2000 電子零件等 酸性、高耐腐蝕性
PRECIOUSFAB Pt-SF 鹼性、鍍厚膜
Rh PRECIOUSFAB Rh200 低應力、高硬度
PRECIOUSFAB Rh2000 高耐腐蝕性、高硬度
Ru PRECIOUSFAB Ru1000 酸性、低Ru濃度
Ir PRECIOUSFAB Ir300 高硬度

應用案例特輯 (功率元件模組)

■鍵合墊片用電鍍

  • 　 零件 金屬元素
    ① 鍵合線 Al, Au, Cu, PCC, Ag
    ② 鍵合墊片用電鍍 Ni/(Pd)/Au or Ag
    鍵合墊片 Al, Cu
  • 鍵合墊片用電鍍使用部位說明圖

針對鍵合線和鍵合墊片的各種組合，提案接合性優良的最適合的電鍍條件。

Ni/Au電鍍 (Ni厚度 5um / Au厚度 0.05um)

Φ50um pad

  • Ni/Au電鍍-Φ50um pad的表面SEM圖像
  • Ni/Au電鍍-Φ50um pad的剖面SEM圖像

Ni/Pd/Au電鍍 (Ni厚度5um / Pd厚度 0.1um / Au厚度 0.05um)

□100um pad

  • Ni/Pd/Au電鍍-□100um pad的表面SEM圖像
  • Ni/Pd/Au電鍍-□100um pad的剖面SEM圖像
  • 透過Pd電鍍，抑制Ni電鍍的腐蝕和擴散
  • 從前置處理條件到Au電鍍製程，從整體上為您提案最適合的製程。

■歐姆接合用背面電極

  • MICROFAB ELN520的使用部位和剖面說明圖

MICROFAB ELN520 – 用於垂直結構歐姆接合用背面電極的Ni電鍍

  • 用於二極體等垂直結構Si芯片
  • 在Si芯片背面直接施以無電解鍍Ni後，透過燒結形成矽化鎳合金層

Si芯片背面形成製程

　 製程 產品名稱
1 前置處理  – 
2 觸媒活化  – 
3 無電解Ni電鍍 MICROFAB ELN520
4 乾燥、燒結  – 
5 無電解金電鍍 IM FAB Au-IGS4200
  • 由於Ni析出物應力較低，可抑制電鍍後的晶圓翹曲
  • 透過在Ni上施以無電解鍍Au，可實現芯片貼裝的良好接合性

■用於導線架、銅夾、PCB等的金屬化層

  • Pd-PPF用電鍍製程的使用部位和剖面說明圖

本公司的Pd電鍍被膜的阻隔性高，可期待透過薄膜提升耐熱性。

Pd-PPF用電鍍製程
*…Palladium Pre-Plated Frame

電解Ni GALVANOMEISTER Ni100
電解Pd PRECIOUSFAB Pd系列
電解Au POSTFLASH 100

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