CVD/ALD用貴金屬前驅物
開發針對次世代半導體的高純度貴金屬前驅物
在追求進一步的微細化及提升耐久性的半導體產業中，謀求透過提升釕(Ru)前驅物的成膜速度來降低成本和實現高品質化，並為半導體開闢的嶄新先進技術之相關開發帶來貢獻。
CVD = Chemical Vapor Deposition (化學氣相沉積法)
ALD = Atomic Layer Deposition (原子層沉積法)
開發、提供前驅物
本公司開發各種CVD／ALD用前驅物，重點是 Ru。
而且，製作半導體用薄膜的CVD設備、評估薄膜用的各種分析儀器(FE-SEM、AFM、XRF等)產品俱全，依目的提供所需前驅物。
■前驅物產品範例 (Ru)
| Product Name | Appearance |
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DCR Ru成膜用高純度前驅物 |
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Rupta Ru成膜用無氧前驅物 |
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TRuST Ru成膜用高蒸氣壓前驅物 |
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半導體也進一步走向微細化，對阻力更低，耐久性更高的貴金屬釕(Ru)寄予厚望。此外，在電晶體閘極用電極與 DRAM 電容器用電極等方面，也在進行評估具有優越特性的釕(Ru)。
Ru成膜用高蒸氣壓前驅物：TRuST
以液體釕前驅物實現世界最高水準的蒸氣壓値
這是一款用於 CVD/ALD 的前驅物，其蒸氣壓比傳統液態 Ru 前驅物高出 100 倍以上*。
此技術有助於提升智慧型手機與個人電腦用半導體的性能與省電表現，並可因應未來對數據中心的進一步需求。
*經本公司內部評估在常溫下的實驗數值
■特長
- 即使在室溫左右的溫度下也會展現較高的蒸氣壓。
- 可使用反應氣體(氫氣、氧氣等)輕鬆分解，並形成低電阻的Ru膜。
- 由於分子小，因此吸附到基板表面的吸附效率很好，能得到較高的成膜速度。
- 階梯覆蓋性優越，即使在高深寬比的細微結構中，也可以均勻地成膜至深部。
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前驅物的蒸氣壓比較
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使用TRuST的ALD所做成的Ru薄膜
■使用TRuST的2段ALD製程
透過使用氧和氫的2段ALD製程，實現可防止基板氧化與高品質且低電阻的極薄薄膜
使用TRuST的2段成膜製程
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第1階段：使用H2的Ru成膜
透過氫成膜降低底層的表面氧化風險 -
第2階段：使用O2的Ru成膜
透過氧成膜實現釕純度幾乎保持 100%的高純度成膜 -
先透過氫成膜形成底層，在此基礎上進行氧成膜所形成的Ru膜也更加平滑緻密，實現超越以往的低電阻值
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第1階段：使用H2的Ru成膜
透過氫成膜降低底層的表面氧化風險 -
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第2階段：使用O2的Ru成膜
透過氧成膜實現釕純度幾乎保持 100%的高純度成膜 -
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先透過氫成膜形成底層，在此基礎上進行氧成膜所形成的Ru膜也更加平滑緻密，實現超越以往的低電阻值
- 透過2段成膜製程，即使是在極薄薄膜領域也能夠形成緻密且低電阻的Ru膜。
- 由於各製程皆是在相同的原料及成膜溫度下實施的，因此對降低製程成本與設備投資成本帶來貢獻。
2段成膜的橫截面SEM圖像
